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●IGBT单开关型模块●

　　

　VCES=600V,1200V
　Ic=200A～800A
　VISO=2500V(RMS)

IGBT模块快恢复二极管模块 IBGT及晶闸管驱动板

型号	IC TC=85℃ A	VCES MAX V	VCE(on) TYP V	VGE V	PD max		Rthjc MAX K/W	开关时间Typ.			Cies Typ. PF	trr Typ. ns	Irr Typ. A	封装形式
型号	IC TC=85℃ A	VCES MAX V	VCE(on) TYP V	VGE V	Tc=25℃ w	Tc=85℃ w	Rthjc MAX K/W	tdon ns	tdoff ns	tf ns	Cies Typ. PF	trr Typ. ns	Irr Typ. A	封装形式
GA400DD60U	400	600	1.7	±20	1565	812	0.08	1033	688	255	40136	232	141	DD
GA600DD60U	600	600	1.8	±20	2100	1100	0.06	1256	836	280	55410	300	165	DD
GA800DD60U	800	600	1.8	±20	2700	1400	0.045	2066	1288	346	80262	332	180	DD
GA200DD120K	200	1200	2.5	±20	1565	812	0.08	636	550	241	37343	196	131	DD
GA300DD120K	300	1200	2.5	±20	2100	1100	0.06	828	816	324	51260	260	153	DD
GA400DD120K	400	1200	2.5	±20	2700	1400	0.045	1260	1100	482	74693	386	180	DD

	内部接线方式图：

　
　　IGBT单开关型模型　　　　 IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块　　　快恢复二极关（FRD）模块

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